Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BS870Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BS870Q
BS870Q-7-F Hakkında
BS870Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 5Ω maksimum kanal direnci (Rds On), 10V gate geriliminde 200mA akımda ölçülmüştür. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Sinyal anahtarlaması, düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. 300mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimli uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok