Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS870-7

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BS870

BS870-7 Hakkında

BS870-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 5Ω (maksimum) RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 300mW maksimum güç harcaması ile LED kontrolü, MOSFET anahtarı uygulamaları, sinyal anahtarlama ve genel dijital kontrol devrelerinde uygulanabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 3V kapı eşik gerilimi ile tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok