Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS7067N06LS3G

MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
BS7067N06LS3G

BS7067N06LS3G Hakkında

BS7067N06LS3G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 14A (Ta) / 20A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6.7mΩ (20A, 10V koşullarında) düşük on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. 8-PowerVDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapar. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi düşük gerilim endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Ürün statüsü obsolete olmasına rağmen, mevcut tasarım uygulamalarında veri ve alternatif seçenekler için referans değeri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok