Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS170ZL1G

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BS170

BS170ZL1G Hakkında

BS170ZL1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren analog ve dijital devrelerde, özellikle sinyal anahtarlaması, timer devreleri ve TTL arayüzü uygulamalarında tercih edilir. 350mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok