Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BS170RL1G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BS170
BS170RL1G Hakkında
BS170RL1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 10V sürücü geriliminde maksimum 5Ohm on-state direnci ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, anahtarlama devrelerinde, sinyal değiştiricilerde ve düşük güç uygulamalarında kullanılır. 350mW maksimum güç tüketimi ve 60pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunması nedeniyle, basit kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün şu anda üretim dışında (obsolete) olup, arşiv ve restorasyon projelerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok