Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BS170G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BS170
BS170G Hakkında
BS170G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 350mW maksimum güç tüketimine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen BS170G, anahtarlama uygulamaları, küçük güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrolü için kullanılır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Ürün kategorisinde yer alan MOSFET transistörler, dijital ve analog devre tasarımlarında gerilim ve akım kontrolü için temel bileşenlerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok