Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BS170
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BS170
BS170 Hakkında
BS170, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 kasa türü ile kompakt boyutlarda tasarlanmıştır. 10V kapı geriliminde 5Ohm RDS(On) değeri ile düşük açık direnç sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ses ve RF uygulamaları, anahtarlama devreleri, LED sürücüleri ve genel elektronik devre tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 830mW güç disipasyon kapasitesi sayesinde orta seviye güç yönetimi uygulamalarında yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok