Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BS108,126
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BS108
BS108,126 Hakkında
BS108,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 300mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 5Ω RDS(on) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 1W güç dissipasyonu kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ortamlara uygundur. Not: Bu bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok