Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS108/01,126

MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BS108

BS108/01,126 Hakkında

BS108/01,126 NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, analog anahtarlama devreleri, sinyal anahtarlama, küçük güç amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 5Ω maksimum RdsOn değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 2.8V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok