Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS107P

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BS107

BS107P Hakkında

BS107P, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 120mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92-3 kılıf tipinde sunulmaktadır. 30Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 500mW maksimum güç disipasyonu ile küçük sinyal anahtarlama, lojik seviyeleri sürme ve diskret devre uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile emniyetli ve güvenilir kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.6V, 5V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V
Supplier Device Package TO-92
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok