Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BS107

BS107G Hakkında

BS107G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 14Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen BS107G, endüstriyel denetim devreleri, gerilim regülatörleri ve düşük-güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 350mW maksimum güç dağılımı ve 3V eşik gerilimi ile kontrollü şalter fonksiyonları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.6V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok