Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BBS3002-DL-1E

MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
BBS3002

BBS3002-DL-1E Hakkında

BBS3002-DL-1E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılan güç transistörüdür. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 280nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Maksimum 90W güç disipasyonu kapasitesi ile motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, solenoid kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok