Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRLR120N

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AUIRLR120N

AUIRLR120N Hakkında

AUIRLR120N, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 185mOhm maksimum RDS(on) değeri ile açılı durumda düşük direnç sunarak enerji tasarrufu sağlar. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrollerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığı, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilirliğini sağlar. 4V ve 10V sürü gerilimleri altında karakterize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok