Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRLR120N

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AUIRLR120N

AUIRLR120N Hakkında

AUIRLR120N, Rochester Electronics tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel HEXFET MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252 (D-PAK) yüzey montaj paketi ile sunulur. Düşük 185mΩ on-resistance değeri ve geniş -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve yük sürücülük uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok