Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRFS6535TRL

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AUIRFS6535

AUIRFS6535TRL Hakkında

AUIRFS6535TRL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 300V drain-source gerilim ve 19A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 185mΩ maksimum gate-source direnç değeri ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 210W güç tüketme kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 57nC gate charge ve düşük input kapasitans özellikleri hızlı komütasyon gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok