Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRFS3206

AUTOMOTIVE POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AUIRFS3206

AUIRFS3206 Hakkında

AUIRFS3206, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Otomotiv endüstrisinde motor kontrolü, enerji yönetimi, güç dağıtım ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulur ve -55°C ile 175°C arasında çalışır. 10V gate drive voltajında optimize edilen bu bileşen, 300W'a kadar güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok