Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRFR1018E-IR

PFET, 56A I(D), 60V, 0.0084OHM,

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
AUIRFR1018E

AUIRFR1018E-IR Hakkında

AUIRFR1018E-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 56A sürekli drenaj akımı, 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 8.4mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bir güç transistörüdür. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi kapasitesi ve 69nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok