Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF9Z34N

AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
AUIRF9Z34N

AUIRF9Z34N Hakkında

AUIRF9Z34N, Rochester Electronics tarafından üretilen otomotiv standardı P-Channel HEXFET MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 55V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 100mΩ maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olması, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunar. 68W maksimum güç saçma kapasitesi ile motor kontrolü, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok