Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF7799L2
AUIRF7799L2TR Hakkında
AUIRF7799L2TR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 375A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric L8 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, solar invertörler ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 38mOhm (10V, 21A'da) maksimum gate-source direnç değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, 125W(Tc) güç dağılımı kapasitesiyle yoğun kullanım ortamlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 375A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6714 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok