Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF7665S2TR

MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
AUIRF7665S2

AUIRF7665S2TR Hakkında

AUIRF7665S2TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 4.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric SB paketinde sunulan bu bileşen, 62mOhm maksimum açık kanal direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V Gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arası sıcaklık ortamlarında kullanılabilir. Yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. 13nC gate yükü ve 515pF giriş kapasitesi ile hızlı komutasyon özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric SB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET SB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok