Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AUIRF7379QTR
AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF7379Q
AUIRF7379QTR Hakkında
AUIRF7379QTR, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim derecelendirmesi ile çalışan bu komponent, logic level gate işlemi destekler ve 5.8A/4.3A sürekli drain akımı sağlar. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunur. 2.5W maksimum güç derecelendirmesi olan cihaz, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Surface mount 8-SOIC paketlemesiyle DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, power distribution sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok