Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF3808S

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AUIRF3808S

AUIRF3808S Hakkında

AUIRF3808S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 106A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile PCB tasarımlarında kompakt çözüm sunar. 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma performansı gösterir. Güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve 10V drive voltajında optimize edilen özellikler sunur. Maksimum 200W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 106A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok