Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF2907ZS7PTL

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
AUIRF2907

AUIRF2907ZS7PTL Hakkında

AUIRF2907ZS7PTL, Rochester Electronics tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel HEXFET MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paket formatında sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Otomotiv elektrik sistemleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilim toleransı ve 260nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok