Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF2907ZS-7P

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
AUIRF2907ZS

AUIRF2907ZS-7P Hakkında

AUIRF2907ZS-7P, Rochester Electronics tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel HEXFET MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilim ve 180A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.8mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, otomotiv motor kontrolü, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface Mount D²Pak (TO-263-7) paketine sahip olup, 260nC gate charge ve 7580pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok