Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

AUIRF2903ZS

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
AUIRF2903

AUIRF2903ZS Hakkında

AUIRF2903ZS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 160A sürekli drenaj akımını destekleyen bu bileşen, düşük on-resistance değeri (2.4mOhm @ 75A, 10V) ile yüksek güç uygulamalarında verimli çalışır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate voltajı ve 4V gate eşik voltajıyla hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 231W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok