Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AUIRF1010ZS
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF1010
AUIRF1010ZS Hakkında
AUIRF1010ZS, Rochester Electronics tarafından üretilen otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli drenaj akımı ve 55V drain-source gerilim kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayarak enerji kaybını minimize eder. TO-263 (D²Pak) paket türü ile yüksek güç dağılımı uygulamalarına uygun olup, 140W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan sıcaklık aralığında otomotiv kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok