Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
AUIRF1010EZS
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF1010EZ
AUIRF1010EZS Hakkında
AUIRF1010EZS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 86nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç elektronikleri, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok