Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ATP218-TL-H

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
ATPAK (2 leads+tab)
Seri / Aile Numarası
ATP218

ATP218-TL-H Hakkında

ATP218-TL-H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile 100A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük açılış direnci (Rds On: 3.8mOhm @ 50A, 4.5V) nedeniyle yüksek güç uygulamalarında verimli çalışır. ATPAK surface mount paketinde sunulan bileşen, 60W güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrol, güç kaynağı uygulamaları, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±10V gate gerilim aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case ATPAK (2 leads+tab)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 4.5V
Supplier Device Package ATPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok