Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
APTM20UM09SG

APTM20UM09SG Hakkında

APTM20UM09SG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET modülüdür. 200V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen bu MOSFET, -40°C ile 150°C arasındaki sıcaklık ortamlarında güvenilir işlem gerçekleştirir. Chassis mount tipi J3 Module paketi ile sunulan bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi, motor sürücü uygulamaları ve DC/DC dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 780W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile yoğun yük uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 217 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12300 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case J3 Module
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 74.5A, 10V
Supplier Device Package Module
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok