Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM120SK68T1G
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM120SK68T
APTM120SK68T1G Hakkında
APTM120SK68T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 15A sürekli dren akımı kapasitesi ve 816mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde güç elektoniği devreleri, inverter uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yer alır. ±30V maksimum gate-source gerilimi, 260nC gate charge ve 6696pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. SP1 montaj tipi ile chassis mount uygulamalarında kullanılabilir. 357W maksimum güç dağılımı özelliği, endüstriyel ve ticari elektrik sistemlerinde demiryolu uygulamaları, UPS sistemleri ve solar inverter devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Kompakt tasarımı ve yüksek gerilim dayanıklılığı ile tasarımcılara esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6696 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 816mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok