Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM120SK56T1G
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM120SK56T
APTM120SK56T1G Hakkında
APTM120SK56T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistördür. 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 672mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SP1 paket tipi ile chassis mount uygulamalarına uygun olup, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. MOSFET türü Metal Oxide teknolojisi kullanan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, enerji yönetimi ve motor kontrol devrelerinde kullanım alanı bulur. 390W maksimum güç tüketimi ile yüksek güç uygulamaları destekler. Maksimum ±30V gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7736 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 672mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok