Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM120DA56T1G
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM120DA56T1G
APTM120DA56T1G Hakkında
APTM120DA56T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 18A sürekli drain akımı ve 10V gate sürüş voltajında 672mΩ RDS(on) değeri ile güç dönüştürme, invertör, AC/DC güç kaynakları ve endüstriyel motor kontrol devrelerinde uygulanır. -40°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. SP1 chassis mount paketinde sunulan komponent, 390W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7736 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 672mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok