Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM120DA30T
APTM120DA30T1G Hakkında
APTM120DA30T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. SP1 chassis mount paketi ile monoblok yapısına sahiptir. 360mOhm maksimum on-direnci, 560nC gate yükü ve 5V threshold gerilimi ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, 657W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle endüstriyel ve enerji dönüşüm uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 657W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok