Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM120DA30CT1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM120DA30CT
APTM120DA30CT1G Hakkında
APTM120DA30CT1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V Drain-Source voltaj ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V sürüş voltajında 360mOhm maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 560nC gate charge ve 14560pF input kapasitans özellikleri hızlı komütasyon karakteristiği sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 657W güç yayılabilir. Güç dönüştürme devreleri, şarj cihazları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yer alır. SP1 paket tipinde Chassis Mount konfigürasyonunda sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 657W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok