Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APTM120DA29TG

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Paket/Kılıf
SP4
Seri / Aile Numarası
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG Hakkında

APTM120DA29TG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilim ve 34A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 348mOhm on-state direnci (10V gate geriliminde), 374nC gate yükü ve SP4 kasa yapısı ile anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, inverter uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 780W güç saçabilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. Part status obsolete olmasına rağmen teknik referans ve depo uygulamalarında bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP4
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package SP4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok