Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM10UM01FAG
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG Hakkında
APTM10UM01FAG, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor'dür (MOSFET). 100V Drain-Source gerilimi ve 860A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.6mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Chassis Mount SP6 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor sürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip ve 2500W maksimum güç dissipasyonunu tolere edebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 275A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok