Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DAM02G
APTM10DAM02G Hakkında
APTM10DAM02G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 495A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.5mΩ (10V, 200A'de) maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. SP6 kasa tipinde chassis mount yapısı vardır. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri, enerji kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 495A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 200A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok