Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM100SK33T1G
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM100SK33T1G
APTM100SK33T1G Hakkında
APTM100SK33T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 390W maksimum güç tüketimi ve 396mΩ RDS(on) değeri ile güç yönetimi sistemlerinde, anahtarlama devreleri ve endüstriyel enerji dönüştürme uygulamalarında yer alır. ±30V gate voltaj aralığı ve 305nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. SP1 kasa tipi ile chassis mount uygulamaları destekler. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel invertörler, UPS sistemleri ve SMPS devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7868 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok