Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM100DA33T1G
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM100DA33T
APTM100DA33T1G Hakkında
APTM100DA33T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistördür. 23A sürekli dren akımı ve 396mOhm RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. ±30V gate gerilim aralığında çalışan bu bileşen, yüksek voltaj AC/DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel güç kontrol devrelerinde yer alır. SP1 paketi ile chassis mount konfigürasyonunda sunulan MOSFET, -40°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar ve 390W maksimum güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7868 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok