Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM100DA18T1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Hakkında
APTM100DA18T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 1000V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SP1 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate-source geriliminde 216mΩ maksimum on-state direnci ile çalışmaktadır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolünde ve yüksek gerilim konvertör tasarımlarında kullanıma uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 657W güç tüketimine kapaklıdır. 570nC gate charge ve 14800pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün obsolete statüsünde olup, yerine geçebilecek güncel modellerin incelenmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 657W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok