Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTM100DA18CT1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTM100DA18CT
APTM100DA18CT1G Hakkında
APTM100DA18CT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistörüdür. 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 216mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 657W güç dağıtabilir. Endüstriyel inverterler, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır. SP1 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj ve akım gerektiren güç yönetimi sistemleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 657W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok