Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTC90DAM60T1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTC90DAM60T
APTC90DAM60T1G Hakkında
APTC90DAM60T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 900V N-Channel Super Junction MOSFET transistördür. 59A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücüleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. SP1 paket tipi ile chassis mount montajına uygun tasarlanmıştır. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabilite sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 462W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok