Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APTC90DAM60CT1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APTC90DAM60CT
APTC90DAM60CT1G Hakkında
APTC90DAM60CT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 59A sürekli drain akımı ve 60mOhm maksimum on-state direnci ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 540nC gate charge ve 13600pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Maksimum 462W güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda, DC/DC dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. SP1 pakette sunulan ürün, şasis montajı için uygun yapılandırmadır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 462W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok