Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APTC60SKM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60SKM35T1G

APTC60SKM35T1G Hakkında

APTC60SKM35T1G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET'tir. 600V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 72A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 35mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 518nC, giriş kapasitansi 14000pF olarak belirtilmiştir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli çalışma alanı sunar. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 416W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücü uygulamaları ve high-voltage switching devreleri için tasarlanmıştır. SP1 Chassis Mount pakette sunulur. Not: Bu ürün Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V
Supplier Device Package SP1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok