Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

APT9M100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Paket/Kılıf
TO-268-3
Seri / Aile Numarası
APT9M100S

APT9M100S Hakkında

APT9M100S, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maximum on-resistance (Rds On) değeri ve 335W güç taşıma kapasitesi ile enerji dönüştürme, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Surface mount D3PAK paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve ±30V gate gerilimi toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2605 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package D3PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok