Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT8M100B
APT8M100B Hakkında
APT8M100B, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1.8Ω RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge özelliği 60nC olup, hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 290W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. İnverterler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1885 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok