Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT80SM120S
SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT80SM120S
APT80SM120S Hakkında
APT80SM120S, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 55mOhm maksimum on-state direnci (20V gate geriliminde, 40A'de) ile verimli anahtarlama sağlar. D3PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 625W güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır. Güç dönüştürme, solar inverter, elektrik motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Parçanın yaşam döngüsü sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | D3PAK |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok