Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT80SM120J
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT80SM120J
APT80SM120J Hakkında
APT80SM120J, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 51A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Yüksek sıcaklık ortamlarında (175°C'ye kadar) çalışabilir. Chassis mount SOT-227 paketinde sunulan bu bileşen, UPS sistemleri, endüstriyel sürücüler, PFC devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok