Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT80SM120B
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT80SM120B
APT80SM120B Hakkında
APT80SM120B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source geriliminde 80A sürekli akım sağlayabilen bu komponent, TO-247-3 paketlemesinde sunulmaktadır. 55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları karakteristik gösterir. Gate charge değeri 235nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan cihaz, yüksek voltajlı güç dönüştürücüler, invertörler, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde daha yüksek verimlilik ve daha hızlı anahtarlama frekansları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 555W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok