Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
APT70SM70B
SICFET N-CH 700V 65A TO247
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- APT70SM70B
APT70SM70B Hakkında
APT70SM70B, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 700V dren-kaynak geriliminde 65A sürekli dren akımı sağlayabilir. 70mΩ (20V, 32.5A'da) olan on-resistance (Rds On) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. Maksimum 125nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı ve 300W güç disipasyon kapasitesi sunar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç elektronikleri, inverter devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün durumu obsolete (üretim durdurulmuş) olup, yerini daha yeni serilerin aldığı belirtilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 32.5A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok